买卖IC网 >> 产品目录43534 >> STH210N75F6-2 MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2 datasheet 分离式半导体产品
型号:

STH210N75F6-2

库存数量:863
制造商:STMicroelectronics
描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
RoHS:无铅 / 符合
详细参数
参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
STH210N75F6-2 PDF下载
标准包装 1
系列 STripFET™ DeepGATE™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 180A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 2.8 毫欧 @ 90A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 171nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 11800pF @ 25V
功率 - 最大 300W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装 H²PAK
包装 标准包装
其它名称 497-11251-6
相关资料
供应商
公司名
电话
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深圳市英科美电子有限公司 0755-23903058 张先生
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深圳市华芯源电子有限公司 15019275130 张小姐
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深圳市一线半导体有限公司 0755-88608801 谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
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深圳市华雄半导体(集团)有限公司 17623594308 苗凤军
  • STH210N75F6-2 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 8.472 8.472
    10 7.5852 75.852
    25 6.8208 170.52
    100 6.2034 620.34
    250 5.615424 1403.856
    500 5.0274 2513.7